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3月21日,sammobile3報道,三星企業開發了第三代10納米8gb ddr4 dram。 這是業界第一個產品。 新的10nmDDR4是業界較小的內存解決方案節點。 與以前的1y-nm版本相比,制造效率提高了20%以上,以超高性能和電力效率推進了dram處理方式的局限性。 另外,第3代ddr4產品沒有通過極端的紫外線( euv )解決。
三星預計,10納米ddr5將為ddr5、lpddr5、gddr6等新一代dram接口的上市鋪平道路。
三星dram產品和技術執行副社長jung-bae lee說。 “我們致力于突破技術行業的巨大挑戰,這推動了我們的創新。 我們很高興再次為新一代dram的穩定生產奠定了基礎,確保了高性能和高能效。 (實習編譯(宋秋宇審閱)李宗澤( ) ) ( ) ) ) ) ) ) ) )
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