與三星、東芝、美光等企業相比，中國目前在dram存儲器、nand閃存技術上落后多年，但中國科研人員也在追趕新一代技術，日前，中國投資130億元建設pcm相變存儲器，性能普通的存儲器芯片， 現在更厲害的是復旦大學微電子學院教授張衛、周鵬率領的團隊開發了新的二維非易失性存儲器芯片。 他們采用半導體結構，所開發的存儲器芯片的性能是以前流傳下來的二維存儲器芯片的100萬倍，而且性能更長，刷新時間是存儲器的156倍，也就是說具有更強的耐久性。

diy玩家應該知道內存、閃存的優缺點。 但是，切斷電源后會丟失數據，而且很貴。 閃存的延遲比存儲器高一個數量級，但是利潤就是留下數據，而且價格低廉。 因此，業界正在尋找具有存儲器、閃存優點的存儲器芯片，即能夠保留數據且速度非常高的存儲器芯片。

英特爾開發的3d xpoint閃存也有同樣的特征，據說性能是閃存的1000倍，耐久性是閃存的1000倍。 上述的pcm相變存儲器也是同樣的技術，切斷電源時可以保存數據，發揮內存般的性能。 但是，這些新的存儲器芯片目前還沒有達到內存和閃存那樣的成熟度。

中國學者開發的存儲器芯片也是這個方向。 根據他們在《自然納米技術》雜志上發表的論文，他們開發的存儲芯片沒有采用以前流傳下來的芯片場效應型原理。 后者為了在物理尺寸逐漸縮小的情況下干擾量子效應，張衛、周鵬團隊采用了半浮柵( semi-floating gate )晶體管技術。 他們在此基礎上做了一個

具體地說，與dram存儲器相比，數據的刷新時間為前者的156倍，也就是說可以保留更長期的數據，具備納秒( ns )級別的寫入速度(與閃存的延遲通常為毫秒級別)，可以按照以前的方式進行傳輸 因此，該新存儲器有望縮小以前傳遞的存儲器和閃存的差。

當然，這項技術的進展很好。 只是，不要期待技術馬上量產。 未來兩三年內不可能進入市場。 但是，具備dram、nand優點的新型存儲器芯片存在這一問題，并未成熟到量產市場。 以前內存，閃存還有很長的壽命。